Samsung - Barrette/module mémoire vive RAM 2Go - DDR3 - SO-DIMM - PC3-8500S - 1066MHz - CL7 - 1.5V - Non-ECC - 2Rx8 - M471B5673DH1-CF8 - TBEG Barrette de mémoire vive (RAM) Samsung de 2 Go au format DDR3 SODIMM conçu spécifiquement pour les ordinateurs portables, les ordinateurs tout-en-un (All-in-One) et les mini-PC (comme les Mac Mini). Spécifications Générales • Marque : Samsung • Références : M471B5673DH1-CF8 0853 / 2GB 2Rx8 PC3-8500S-07-00-F0 • Capacité : 2 Go (256M x 64) • Format : SODIMM (Small Outline DIMM) à 204 broches • Technologie : DDR3 SDRAM Performances et Fréquences • Fréquence d'horloge : 1066 MHz • Norme de bande passante : PC3-8500S (DDR3-1066) • Temps de cycle (tCK min) : 1,875 ns • Latence CAS (CL) : CL7 (Latences complètes : 7-7-7) Architecture et Conception • Nombre de rangs (Ranks) : Dual Rank (2Rx8) • Organisation des puces (DRAM) : 128M x 8 • Nombre total de puces : 16 composants DRAM (8 puces de chaque côté du circuit imprimé) • Type de boîtier des puces : FBGA à 60 billes (60-ball FBGA) Caractéristiques Électriques et Physiques • Tension d'alimentation (VDD) : 1,5 V (± 0,075 V) • Gestion des erreurs : Non-ECC (Unbuffered) • Hauteur du module : 30 mm (Profil standard JEDEC) • Température de fonctionnement : 0°C à 85°C N'hésitez pas à me contacter pour toutes questions, demandes, précisions. Remise en mains propres ou livraison.
Samsung - Barrette/module mémoire vive RAM 2Go - DDR3 - SO-DIMM - PC3-8500S - 1066MHz - CL7 - 1.5V - Non-ECC - 2Rx8 - M471B5673DH1-CF8 - TBEG Barrette de mémoire vive (RAM) Samsung de 2 Go au format DDR3 SODIMM conçu spécifiquement pour les ordinateurs portables, les ordinateurs tout-en-un (All-in-One) et les mini-PC (comme les Mac Mini). Spécifications Générales • Marque : Samsung • Références : M471B5673DH1-CF8 0853 / 2GB 2Rx8 PC3-8500S-07-00-F0 • Capacité : 2 Go (256M x 64) • Format : SODIMM (Small Outline DIMM) à 204 broches • Technologie : DDR3 SDRAM Performances et Fréquences • Fréquence d'horloge : 1066 MHz • Norme de bande passante : PC3-8500S (DDR3-1066) • Temps de cycle (tCK min) : 1,875 ns • Latence CAS (CL) : CL7 (Latences complètes : 7-7-7) Architecture et Conception • Nombre de rangs (Ranks) : Dual Rank (2Rx8) • Organisation des puces (DRAM) : 128M x 8 • Nombre total de puces : 16 composants DRAM (8 puces de chaque côté du circuit imprimé) • Type de boîtier des puces : FBGA à 60 billes (60-ball FBGA) Caractéristiques Électriques et Physiques • Tension d'alimentation (VDD) : 1,5 V (± 0,075 V) • Gestion des erreurs : Non-ECC (Unbuffered) • Hauteur du module : 30 mm (Profil standard JEDEC) • Température de fonctionnement : 0°C à 85°C N'hésitez pas à me contacter pour toutes questions, demandes, précisions. Remise en mains propres ou livraison.
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